casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPA11N60C3IN
Número da peça de fabricante | SPA11N60C3IN |
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Número da peça futura | FT-SPA11N60C3IN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPA11N60C3IN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 33W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA11N60C3IN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPA11N60C3IN-FT |
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Infineon Technologies
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