casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD5N50NZTM
Número da peça de fabricante | FDD5N50NZTM |
---|---|
Número da peça futura | FT-FDD5N50NZTM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UniFET™ |
FDD5N50NZTM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 62W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD5N50NZTM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDD5N50NZTM-FT |
FDD9411L-F085
ON Semiconductor
FQD1N80TM
ON Semiconductor
IRFR4105TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3636TRPBF
Infineon Technologies
TK33S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDD8870
ON Semiconductor
IRFR5410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7833
Infineon Technologies
FDD2572-F085
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel