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Infineon Technologies IRLR3636TRPBF

Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBF
Price: 0.698544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (155 reviews)

Número da peça MFG: IRLR3636TRPBF

Quantidade disponível: 13930 Peças

Preço de referência: USD 0.698544

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRLR3636TRPBF.pdf

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IRLR3636TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRLR3636TRPBF
Número da peça futura	FT-IRLR3636TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRLR3636TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3779pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	143W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D-Pak
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR3636TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRLR3636TRPBF-FT

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