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ON Semiconductor FDD1600N10ALZ

Número da peça MFG
FDD1600N10ALZ
Quantidade disponível
68960 Peças
Preço de referência
USD 0.269064
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
PowerTrench® MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FDD1600N10ALZ.pdf
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FDD1600N10ALZ Especificações

Número da peça de fabricante FDD1600N10ALZ
Número da peça futura FT-FDD1600N10ALZ
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series PowerTrench®
FDD1600N10ALZ Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 3.61nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 14.9W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor DPAK
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD1600N10ALZ Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FDD1600N10ALZ-FT

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