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ON Semiconductor FDD1600N10ALZ

Name: FDD1600N10ALZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD1600N10ALZ
Price: 0.269064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (325 reviews)

Número da peça MFG: FDD1600N10ALZ

Quantidade disponível: 68960 Peças

Preço de referência: USD 0.269064

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDD1600N10ALZ.pdf

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FDD1600N10ALZ Especificações

Número da peça de fabricante	FDD1600N10ALZ
Número da peça futura	FT-FDD1600N10ALZ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDD1600N10ALZ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	3.61nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	14.9W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD1600N10ALZ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDD1600N10ALZ-FT

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