casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTY08N100D2
Número da peça de fabricante | IXTY08N100D2 |
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Número da peça futura | FT-IXTY08N100D2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXTY08N100D2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
Recurso FET | Depletion Mode |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY08N100D2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTY08N100D2-FT |
FDD6635
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XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation