casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD1600N10ALZD
Número da peça de fabricante | FDD1600N10ALZD |
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Número da peça futura | FT-FDD1600N10ALZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDD1600N10ALZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 14.9W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252-4L |
Pacote / caso | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD1600N10ALZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDD1600N10ALZD-FT |
FQI32N20CTU
ON Semiconductor
FQI34P10TU
ON Semiconductor
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
ON Semiconductor
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
ON Semiconductor
FQI3P20TU
ON Semiconductor
FQI3P50TU
ON Semiconductor
FQI47P06TU
ON Semiconductor
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel