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ON Semiconductor FDC6301N_G
- Número da peça MFG
- FDC6301N_G
- Quantidade disponível
- 45860 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- FDC6301N_G.pdf
FDC6301N_G Especificações
| Número da peça de fabricante | FDC6301N_G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FDC6301N_G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| FDC6301N_G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 220mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Potência - Max | 700mW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SuperSOT™-6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDC6301N_G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FDC6301N_G-FT |
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