casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDA59N30
Número da peça de fabricante | FDA59N30 |
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Número da peça futura | FT-FDA59N30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UniFET™ |
FDA59N30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 29.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PN |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA59N30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDA59N30-FT |
RJK0355DSP-01#J0
Renesas Electronics America
RJK0393DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
HAT2192WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2287WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0346DPA-01#J0B
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RJK0353DPA-01#J0B
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RJK1555DPA-00#J0
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RJK1557DPA-00#J0
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RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics America
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel