casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDA59N30
Número da peça de fabricante | FDA59N30 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FDA59N30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UniFET™ |
FDA59N30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 29.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PN |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA59N30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDA59N30-FT |
RJK0355DSP-01#J0
Renesas Electronics America
RJK0393DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
HAT2192WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2287WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0346DPA-01#J0B
Renesas Electronics America
RJK0353DPA-01#J0B
Renesas Electronics America
RJK1555DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK1557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics America
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel