casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HAT2299WP-EL-E
Número da peça de fabricante | HAT2299WP-EL-E |
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Número da peça futura | FT-HAT2299WP-EL-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HAT2299WP-EL-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-WPAK |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2299WP-EL-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HAT2299WP-EL-E-FT |
NP60N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N06MLG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP88N075MUE-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America
RJK0601DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0602DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0603DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0703DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel