casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MUBW10-12A7
Número da peça de fabricante | MUBW10-12A7 |
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Número da peça futura | FT-MUBW10-12A7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUBW10-12A7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter with Brake |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 20A |
Potência - Max | 105W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 600µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 0.6nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW10-12A7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUBW10-12A7-FT |
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT50DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel