casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MUBW10-12A7
Número da peça de fabricante | MUBW10-12A7 |
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Número da peça futura | FT-MUBW10-12A7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUBW10-12A7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter with Brake |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 20A |
Potência - Max | 105W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 600µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 0.6nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW10-12A7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUBW10-12A7-FT |
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT50DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel