casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH072N60F

| Número da peça de fabricante | FCH072N60F |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FCH072N60F |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | FRFET®, SuperFET® II |
| FCH072N60F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8660pF @ 100V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 481W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
| Pacote / caso | TO-247-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FCH072N60F Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FCH072N60F-FT |

GP2M020A060N
Global Power Technologies Group

GP2M023A050N
Global Power Technologies Group

GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group

GP1M003A080FH
Global Power Technologies Group

GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group

GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group

GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group

GP1M006A065F
Global Power Technologies Group

GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group

GP1M006A070F
Global Power Technologies Group

XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.

M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation

A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation

APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation

LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXEA5K3F35C2L
Intel

XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.

XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.

XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.

5SGXMA3H1F35C2LN
Intel