casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / F1892RD600
Número da peça de fabricante | F1892RD600 |
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Número da peça futura | FT-F1892RD600 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
F1892RD600 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 90A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 270A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1892RD600 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F1892RD600-FT |
MBR60035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CTR
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MBR60060CT
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MBR60080CTR
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MBR30020CTL
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MBR30030CTL
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XC6SLX150T-3FGG676C
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LFE2M70SE-6F1152I
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LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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