Número da peça de fabricante | ES3D |
---|---|
Número da peça futura | FT-ES3D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES3D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 20ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMC (DO-214AB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -50°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES3D-FT |
1N1200A
GeneSiC Semiconductor
1N1206AR
GeneSiC Semiconductor
1N1200AR
GeneSiC Semiconductor
1N1202A
GeneSiC Semiconductor
1N1204A
GeneSiC Semiconductor
1N1199AR
GeneSiC Semiconductor
1N1199A
GeneSiC Semiconductor
1N1190R
GeneSiC Semiconductor
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor
1N1190A
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel