casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N1190R
Número da peça de fabricante | 1N1190R |
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Número da peça futura | FT-1N1190R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N1190R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 190°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1190R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N1190R-FT |
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel