casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / EPC2104ENGRT
Número da peça de fabricante | EPC2104ENGRT |
---|---|
Número da peça futura | FT-EPC2104ENGRT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eGaN® |
EPC2104ENGRT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 23A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
Potência - Max | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2104ENGRT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EPC2104ENGRT-FT |
IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies
IPG20N06S415ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S415ATMA2
Infineon Technologies
IPG20N06S4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L14ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L14ATMA2
Infineon Technologies
IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation