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IPG20N10S4L35ATMA1 Image

Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Número da peça MFG
IPG20N10S4L35ATMA1
Quantidade disponível
52200 Peças
Preço de referência
USD 0.377808
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
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IPG20N10S4L35ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPG20N10S4L35ATMA1
Número da peça futura FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 16µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1105pF @ 25V
Potência - Max 43W
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TDSON-8-4
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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