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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1
Price: 0.377808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (602 reviews)

Número da peça MFG: IPG20N10S4L35ATMA1

Quantidade disponível: 52200 Peças

Preço de referência: USD 0.377808

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

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IPG20N10S4L35ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPG20N10S4L35ATMA1
Número da peça futura	FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1105pF @ 25V
Potência - Max	43W
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8-4
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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