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EPC EPC2012

Name: EPC2012
Brand: EPC
SKU: EPC2012
Availability: InStock
Rating: 5.0 (345 reviews)

Número da peça MFG: EPC2012

Quantidade disponível: 63880 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: EPC

Descrição breve: eGaN® GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: EPC2012.pdf

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EPC2012 Especificações

Número da peça de fabricante	EPC2012
Número da peça futura	FT-EPC2012
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	eGaN®
EPC2012 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 5V
Vgs (máx.)	+6V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	145pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Die
Pacote / caso	Die
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	EPC2012-FT

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