casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMG3T2R
Número da peça de fabricante | EMG3T2R |
---|---|
Número da peça futura | FT-EMG3T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMG3T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG3T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMG3T2R-FT |
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-3VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484I6G
Intel
EP2C5F256I8N
Intel
EP3SL150F1152I4
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.