casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1902,LF(CT
Número da peça de fabricante | RN1902,LF(CT |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN1902,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1902,LF(CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | US6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1902,LF(CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1902,LF(CT-FT |
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4906FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
EP3C40F324C8N
Intel
EP3C40F324C8
Intel