casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD29T2R
Número da peça de fabricante | EMD29T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD29T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD29T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms, 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 260MHz |
Potência - Max | 120mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD29T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD29T2R-FT |
RN4983,LF(CT
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