casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD29T2R
Número da peça de fabricante | EMD29T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD29T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD29T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms, 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 260MHz |
Potência - Max | 120mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD29T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD29T2R-FT |
RN4983,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4985,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP50-5FF1517C
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C3
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC4028EX-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation