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Número da peça de fabricante | ELL-CTV180M |
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Número da peça futura | FT-ELL-CTV180M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | V |
ELL-CTV180M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 18µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 30 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV180M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-CTV180M-FT |
ELL-6PM9R1N
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LFE2-6SE-5TN144C
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XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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M1A3P400-2PQ208
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EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel