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Número da peça de fabricante | ELL-6GM1R2N |
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Número da peça futura | FT-ELL-6GM1R2N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
ELL-6GM1R2N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 2.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 23 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.063" (1.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GM1R2N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6GM1R2N-FT |
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XCKU035-2FBVA900I
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M2GL010T-1VFG400
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M1AGL250V5-VQG100I
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5CGXBC4C6F27C7N
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10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
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5SGXMB6R3F40I3N
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XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
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LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation