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Número da peça de fabricante | ELL-ATP4R7NB |
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Número da peça futura | FT-ELL-ATP4R7NB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | P |
ELL-ATP4R7NB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 5A |
Atual - saturação | 4.5A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 9.1 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard, Corner Terminals |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATP4R7NB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-ATP4R7NB-FT |
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
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AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel