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Número da peça de fabricante | ELL-6SH5R6M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6SH5R6M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | H |
ELL-6SH5R6M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.8A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 49 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.130" (3.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH5R6M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6SH5R6M-FT |
ELJ-FA3R9JF
Panasonic Electronic Components
ELJ-FA3R9KF
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ELJ-FA470JF
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ELJ-FA470JFD
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
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EPF10K100EQC208-2X
Intel