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Número da peça de fabricante | ELL-6GG4R7M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6GG4R7M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-6GG4R7M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.55A |
Atual - saturação | 1.4A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.063" (1.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GG4R7M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6GG4R7M-FT |
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
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AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
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