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Número da peça de fabricante | ELL-4GG8R2N |
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Número da peça futura | FT-ELL-4GG8R2N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-4GG8R2N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 870mA |
Atual - saturação | 1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 220 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.055" (1.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GG8R2N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-4GG8R2N-FT |
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XC2VP70-6FF1517I
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A3PE600-1FG484I
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LFE2-70E-7F900C
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A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel