Número da peça de fabricante | EGP30A |
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Número da peça futura | FT-EGP30A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EGP30A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EGP30A-FT |
1N3879
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1N3889R
GeneSiC Semiconductor
1N3883R
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1N3892R
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1N3879R
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1N3889
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1N3768R
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1N3768
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1N3673AR
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XCS40XL-5PQG208C
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XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel