Número da peça de fabricante | 1N3768 |
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Número da peça futura | FT-1N3768 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N3768 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 190°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3768 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N3768-FT |
MBRH20020L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20030L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045RL
GeneSiC Semiconductor
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel