casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Número da peça de fabricante | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
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Número da peça futura | FT-EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (128M x 32) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D-FT |
MT53B256M64D2PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel