casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB4432BBBJ-1D-F-R
Número da peça de fabricante | EDB4432BBBJ-1D-F-R |
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Número da peça futura | FT-EDB4432BBBJ-1D-F-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EDB4432BBBJ-1D-F-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (128M x 32) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 134-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 134-FBGA (10x11.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1D-F-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EDB4432BBBJ-1D-F-R-FT |
MT53B256M32D1TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel