casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTD543XMT2L
Número da peça de fabricante | DTD543XMT2L |
---|---|
Número da peça futura | FT-DTD543XMT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTD543XMT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 260MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD543XMT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTD543XMT2L-FT |
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel