casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTC123JMFHAT2L
Número da peça de fabricante | DTC123JMFHAT2L |
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Número da peça futura | FT-DTC123JMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTC123JMFHAT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JMFHAT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTC123JMFHAT2L-FT |
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112ACT(TPL3)
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RN1112CT(TPL3)
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RN1113ACT(TPL3)
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RN1113CT(TPL3)
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RN2101ACT(TPL3)
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RN2101CT(TPL3)
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RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102CT(TPL3)
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XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
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5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
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5SGXEA3H3F35C2LN
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EP1SGX25FF1020C5N
Intel