casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN2102ACT(TPL3)
Número da peça de fabricante | RN2102ACT(TPL3) |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN2102ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN2102ACT(TPL3) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CST3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2102ACT(TPL3) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN2102ACT(TPL3)-FT |
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1115,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel