casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA143ZMFHAT2L
Número da peça de fabricante | DTA143ZMFHAT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA143ZMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTA143ZMFHAT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA143ZMFHAT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA143ZMFHAT2L-FT |
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50AN-4TQG144C
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EX128-FTQG100
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XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel