casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA123JMFHAT2L
Número da peça de fabricante | DTA123JMFHAT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA123JMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTA123JMFHAT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JMFHAT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA123JMFHAT2L-FT |
RN1114(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
XC2S200E-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL340F1760I4N
Intel
A54SX32A-1BGG329I
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34E1SG
Intel
5AGXBB3D4F31C4N
Intel