casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA123JET1G
Número da peça de fabricante | DTA123JET1G |
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Número da peça futura | FT-DTA123JET1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTA123JET1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-75, SOT-416 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JET1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA123JET1G-FT |
SMUN5115T1G
ON Semiconductor
MUN5213T1G
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MUN5233T1G
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SMUN5114T1G
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A40MX02-FVQG80
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LFEC3E-3T144C
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5AGXBA7D4F35I5N
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