casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA114YMFHAT2L
Número da peça de fabricante | DTA114YMFHAT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA114YMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTA114YMFHAT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114YMFHAT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA114YMFHAT2L-FT |
RN1112(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1114(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104(T5L,F,T)
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RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2117(T5L,F,T)
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A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
Intel
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484I
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LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel