casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA113EET1G
Número da peça de fabricante | DTA113EET1G |
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Número da peça futura | FT-DTA113EET1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTA113EET1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-75 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA113EET1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA113EET1G-FT |
MUN5132T1G
ON Semiconductor
MUN5216T1G
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10M25DCF484I7G
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5SGXEB6R2F40C3
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XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
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