casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / MUN5112T1G
Número da peça de fabricante | MUN5112T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5112T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5112T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 202mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-3 (SOT323) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5112T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5112T1G-FT |
MMUN2113LT3
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MMUN2130LT1
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XC6SLX4-L1TQG144I
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XC2S30-5VQ100I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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LFE3-35EA-7FN672C
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