casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA043EMT2L
Número da peça de fabricante | DTA043EMT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA043EMT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTA043EMT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA043EMT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA043EMT2L-FT |
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
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RN1317(TE85L,F)
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