casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN1312(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN1312(TE85L,F) |
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Número da peça futura | FT-RN1312(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1312(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | USM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1312(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1312(TE85L,F)-FT |
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
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RN1105MFV,L3F
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RN1106MFV(TL3,T)
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RN1109MFV,L3F
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RN1131MFV(TL3,T)
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RN2107MFV,L3F
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RN2118MFV(TPL3)
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RN2119MFV(TPL3)
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A3P015-2QNG68
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M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel