casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA023EMT2L
Número da peça de fabricante | DTA023EMT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA023EMT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTA023EMT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA023EMT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA023EMT2L-FT |
RN2316(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2303(TE85L,F)
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RN2305(TE85L,F)
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RN1312(TE85L,F)
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RN1317(TE85L,F)
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RN1318(TE85L,F)
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RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2306,LF
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RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel