casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DCG100X1200NA
Número da peça de fabricante | DCG100X1200NA |
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Número da peça futura | FT-DCG100X1200NA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DCG100X1200NA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 49A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DCG100X1200NA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DCG100X1200NA-FT |
APT60S20B2CTG
Microsemi Corporation
APT2X101S20J
Microsemi Corporation
APT2X61S20J
Microsemi Corporation
APT2X100D100J
Microsemi Corporation
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation
APT2X100D120J
Microsemi Corporation
APT2X20DC60J
Microsemi Corporation
APT2X21DC120J
Microsemi Corporation
APT2X41DC120J
Microsemi Corporation
APT2X41DC60J
Microsemi Corporation
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel