casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1250Y-70IND+
Número da peça de fabricante | DS1250Y-70IND+ |
---|---|
Número da peça futura | FT-DS1250Y-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1250Y-70IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250Y-70IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1250Y-70IND+-FT |
IDT71V124SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MCM69C432TQ20
NXP USA Inc.
MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel