casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MR0A16AYS35
Número da peça de fabricante | MR0A16AYS35 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MR0A16AYS35 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MR0A16AYS35 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamanho da memória | 1Mb (64K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-TSOP2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A16AYS35 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR0A16AYS35-FT |
71V124SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel