casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1250Y-100IND+
Número da peça de fabricante | DS1250Y-100IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1250Y-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1250Y-100IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250Y-100IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1250Y-100IND+-FT |
MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel