casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MR2A08AMYS35
Número da peça de fabricante | MR2A08AMYS35 |
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Número da peça futura | FT-MR2A08AMYS35 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MR2A08AMYS35 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-TSOP2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMYS35 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR2A08AMYS35-FT |
71024S25TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel