casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MR2A08AMYS35
Número da peça de fabricante | MR2A08AMYS35 |
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Número da peça futura | FT-MR2A08AMYS35 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MR2A08AMYS35 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-TSOP2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMYS35 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MR2A08AMYS35-FT |
71024S25TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel