casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1250W-100+
Número da peça de fabricante | DS1250W-100+ |
---|---|
Número da peça futura | FT-DS1250W-100+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1250W-100+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250W-100+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1250W-100+-FT |
MR0A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel