casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1250W-100IND+
Número da peça de fabricante | DS1250W-100IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1250W-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1250W-100IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250W-100IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1250W-100IND+-FT |
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35
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MR0A08BYS35
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MR2A16AYS35
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MR4A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35
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MR0A16ACYS35R
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MR0A16AVYS35
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