casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1250AB-100+
Número da peça de fabricante | DS1250AB-100+ |
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Número da peça futura | FT-DS1250AB-100+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1250AB-100+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250AB-100+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1250AB-100+-FT |
MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel